隨著SK海力士、美光、三星等存儲芯片巨頭大舉將產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)面向AI需求的高頻寬內(nèi)存（HBM），這也直接導(dǎo)致了對于DDR5等規(guī)格內(nèi)存產(chǎn)出銳減。據(jù)供應(yīng)鏈傳聞指出，已有廠商接獲DRAM大廠SK海力士的通知，調(diào)漲DDR5報價15%至20%，預(yù)計三星、美光等后續(xù)也將跟進漲價。
SK海力士此前已對外表示，2024年HBM產(chǎn)能已全部被訂光，就連2025年產(chǎn)能也幾乎全數(shù)售罄，為滿足客戶需求，將把現(xiàn)有DRAM產(chǎn)線逾20%產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)HBM。三星也積極追趕SK海力士，傳聞三星將要把現(xiàn)有DRAM總產(chǎn)能約30%轉(zhuǎn)為生產(chǎn)利潤率更高的HBM。
HBM是AI芯片關(guān)鍵組件，隨著AI芯片的需求增長，對于HBM的需求也是供不應(yīng)求。目前在HBM市場，SK海力士占據(jù)著領(lǐng)導(dǎo)地位，三星也在持續(xù)發(fā)力HBM，希望能夠追趕上SK海力士。此次成功通過英偉達的驗證，則意味著其能夠大量供貨給英偉達，從而進一步提升在HBM市場的市占率，縮小與SK海力士的差距。
為什么SK海力士、三星需要轉(zhuǎn)移這么多的DRAM產(chǎn)能來生產(chǎn)HBM呢？
因為，即使在相同制程工藝節(jié)點下，相同容量的HBM對于晶圓的消耗也遠高于DDR5。美光此前就曾在其財報中指出，在整個行業(yè)范圍內(nèi)，HBM3e在同一技術(shù)節(jié)點中生產(chǎn)給定數(shù)量的位所消耗的晶圓供應(yīng)量大約是DDR5的三倍。
也就是說，SK海力士將DRAM產(chǎn)線逾20%產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)HBM，也只能夠帶來這些轉(zhuǎn)移的總產(chǎn)能的不足1/3的產(chǎn)能提升。同樣，三星轉(zhuǎn)移現(xiàn)有的30%的DRAM產(chǎn)能來生產(chǎn)HBM，可能也只能帶來這些轉(zhuǎn)移的總產(chǎn)能的1/3的HBM產(chǎn)能增加。
雖然SK海力士、三星將其現(xiàn)有部分DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)移生產(chǎn)HBM，將有助于緩解市場上HBM的供應(yīng)緊張問題，但是也將會造成對DDR5等標準DRAM產(chǎn)品的供應(yīng)大幅減少。由于三星和SK海力士分別是全球DRAM芯片第一和第二大供應(yīng)商，占據(jù)整個市場約75%的市場份額，勢必將造成全球DDR5等標準DRAM產(chǎn)品的供給緊張、價格上漲。
據(jù)了解，SK海力士此次對DRR5漲價主要是針對合約價，模塊廠以現(xiàn)貨價為主，盼在合約價上漲之際，同步推升現(xiàn)貨價格上漲，有利模組廠迎來低價庫存效益。
另外，在具有HBM生產(chǎn)能力的頭部大廠紛紛擴產(chǎn)HBM，導(dǎo)致DRR5供應(yīng)緊張、價格上漲之際，南亞科技近期以自有1B制程技術(shù)開發(fā)的16Gb DDR5陸續(xù)開始出貨。此前，長鑫存儲在去年下半年也已經(jīng)推出了DDR5產(chǎn)品，都有望從這一輪市場機遇中獲益。
DDR3價格也將上漲
在DDR5傳出價格將大漲之際，DDR3也因頭部大廠的逐步停產(chǎn)，導(dǎo)致產(chǎn)能減少、價格上漲。
此前業(yè)內(nèi)就有消息稱，為發(fā)展HBM與DDR5，三星已經(jīng)通知客戶將在今年二季度度末停產(chǎn)DDR3；SK海力士則更是早在去年底就將大陸無錫廠將DDR3制程轉(zhuǎn)為DDR4，等同于不再供貨DDR3；而美光為擴充DDR5、HBM產(chǎn)能，也大幅減少DDR3供應(yīng)量。
隨著全球三大內(nèi)存廠無暇顧及DDR3市場，陸續(xù)淡出甚至停止生產(chǎn)DDR3，造成供給銳減，但物聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)通及車用等大量終端市場仍在使用DDR3，加上導(dǎo)入AI技術(shù)后，終端產(chǎn)品對DDR3亦有容量升級的需求，已經(jīng)導(dǎo)致上半年DDR3漲價約20%左右。
不過，這對于主攻DDR3的華邦電子、晶豪科技及鈺創(chuàng)等中國臺灣DRAM廠有利，相關(guān)臺廠有望受益于這輪轉(zhuǎn)單商機及漲價效益，推動業(yè)績上漲。
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